Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFD014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD020PBF
Транзистор полевой N-канальный 50В 2.4A
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD024PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD123PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.3A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD210PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD224PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 630мА
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD320PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 490мА
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 410пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9010PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9014PBF
Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9020PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9024PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9110PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9120PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9210PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.9нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9220PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 560мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFDC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLD110PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 1A
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.