Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
BUK7620-55A,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 54A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 118Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 1592пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7626-100B,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 49A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 49A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 157Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 2891пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7628-100A,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 47A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 28 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 166Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 3100пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK762R9-40E,118
Полевой транзистор N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
BUK7631-100E,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 34A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29.4нКл
Входная емкость: 1738пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7635-55A,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 35A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 872пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK763R8-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 169нКл @ 10В
Входная емкость: 12030пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK764R0-55B,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 6776пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9606-40B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 203Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 44нКл @ 5В
Входная емкость: 4901пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9608-55B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 203Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 45нКл @ 5В
Входная емкость: 5280пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9611-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 48.8нКл @ 5В
Входная емкость: 7149пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9614-60E,118
Транзистор полевой N-канальный 60В 56A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 12.8 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 20.5нКл
Входная емкость: 2651пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9615-100A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 8600пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK961R6-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 120нКл @ 5В
Входная емкость: 16400пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9624-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 46A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 21.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 105Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 1815пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9637-100E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 22.8нКл @ 5В
Входная емкость: 2681пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9640-100A,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 39A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 39A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 158Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 3072пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-55B,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 95нКл @ 5В
Входная емкость: 10220пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-80E,118
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 349Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 123нКл
Входная емкость: 17130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R4-40B,118
Транзистор полевой N-канальный 40В 174A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 254Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 7124пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара