Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
AUIRFS3206TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6540пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4310
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 7670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4610
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 73A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 140нКл @ 10В
Входная емкость: 3550пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS8403TRL
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 123 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 123A
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
Мощность макс.: 99Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 93нКл
Входная емкость: 3183пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS8405TRL
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 120 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 163Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 161нКл
Входная емкость: 5193пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS8407TRL
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 225нКл
Входная емкость: 7330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44ZS
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 51 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 51A
Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRL1404ZS
Транзистор Auto Q101 Nкан 40В 180А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 160A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 5В
Входная емкость: 5080пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRL1404ZSTRL
Полевой транзистор N-канальный 40В 160A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
AUIRL3705ZS
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRLS3034
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 162нКл @ 4.5В
Входная емкость: 10315пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BBS3002-DL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7606-75B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 91нКл @ 10В
Входная емкость: 7446пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7607-55B,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 119A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
BUK7608-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 254Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 76нКл @ 0В
Входная емкость: 4352пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7613-100E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 72A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 97.2нКл @ 10В
Входная емкость: 4533пФ @ 20В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7618-55,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 57A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK761R7-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 324Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 118нКл @ 10В
Входная емкость: 9700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара