Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
IRFS7440TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
658 шт

Под заказ:
18 000 шт
Цена от:
от 37,42
IRFS7734TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 183A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 290Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
800 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 193,67
IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 976 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 84,85
IRFZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 289 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 67,48
Акция IRFZ48NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
500 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 101,07
IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 467,15
IRL2505STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
321 шт
Цена от:
от 123,36
IRL2910STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
315 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 149,20
IRL3705NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
407 шт

Под заказ:
4 400 шт
Цена от:
от 115,22
IRL3803STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 71А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 4.5В Входная емкость: 5000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
237 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 142,89
IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 104,64
IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
70 шт
Цена от:
от 195,52
Акция IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
715 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 64,51
Акция IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
729 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,74
STB11NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
864 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 163,67
STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) type A Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
756 шт

Под заказ:
410 шт
Цена от:
от 99,66
STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 218нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
404 шт

Под заказ:
710 шт
Цена от:
от 317,28
STB14NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 223,24
Акция STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,82
STB55NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.7В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,24
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"