Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STH140N8F7-2
Транзистор полевой N-канальный 80В 90A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 6340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH240N10F7-2
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 11550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH240N75F3-6
Транзистор полевой N-канальный 75В 180A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 6800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH270N4F3-6
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 7400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH315N10F7-2
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 12800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH315N10F7-6
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 12800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH320N4F6-6
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 200 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
STH3N150-2
Транзистор полевой N-канальный 1500В 2.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 29.3нКл
Входная емкость: 939пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P04-05-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 280нКл
Входная емкость: 11300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-07L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 6.9 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 345нКл
Входная емкость: 11400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-08L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P08-11L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 10850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM45N25-58-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 45 А, 375 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 45A
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
SUM55P06-19L-E3
Транзистор полевой P-канальный 60В 55A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 55A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM60N10-17-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM65N20-30-E3
Транзистор полевой N-канальный 200В 65А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 65A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 5100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM85N15-19-E3
Транзистор полевой N-канальный 150В 85A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 85A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM90N10-8M2P-E3
Транзистор полевой N-канальный 100В 90A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 6290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM90P10-19L-E3
Транзистор полевой P-канальный 100В 90A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 326нКл
Входная емкость: 11100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.