Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
STB11NM60FDT4 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263
STB11NM60T4 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120N4LF6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 233нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB12NK80ZT4 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 750 мОм @ 5.25А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 2620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STB13N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB13NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB140NF55T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB14NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 13.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB150NF55T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB155N3H6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB155N3LH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB15N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB15NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 14 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB160N75F3 Транзистор полевой N-канальный 75В 120А 330Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 6750пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB16NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 791пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"