Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SIHB15N65E-GE3
Полевой транзистор N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2415пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB33N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 99 мОм
Мощность макс.: 278Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3508пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SMP3003-DL-1E
Полевой транзистор, P-канальный, 75 В, 100 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 280нКл
Входная емкость: 13400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPB04N60C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPB17N80C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 290 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 177нКл
Входная емкость: 2300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 20.7 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60S5ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 103нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB100N10F7
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 4369пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB100NF04T4
Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 5100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB10N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13.5нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB10N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 630пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB10NK60ZT4
Транзистор полевой N-канальный 600В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB11N52K3
Транзистор полевой N-канальный 525В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 525В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 510 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB11N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 644пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB11NK50ZT4
Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 125Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1390пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.