Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
NDB6060L
Транзистор полевой N-канальный 60В 48A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTB25P06T4G
Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 27.5A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTB35N15T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06LT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB5605PT4G
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 18.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB60N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 60 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
PHB27NQ10T,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PHB47NQ10T,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 47A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 166Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN009-100B,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 156нКл
Входная емкость: 8250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN015-100B,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 4900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN016-100BS,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A(Tj)
Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 148Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 49нКл @ 10В
Входная емкость: 2404пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN030-150B,118
Транзистор полевой N-канальный 150В 55.5A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 55.5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118
Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 137нКл
Входная емкость: 9997пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN4R8-100BSEJ
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120А
Мощность макс.: 405Вт
Тип транзистора: N-канальный
PSMN5R6-100BS,118
Полевой транзистор N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 141нКл
Входная емкость: 8061пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN7R6-60BS,118
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 92 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
SIHB12N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB12N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1224пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 180Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.