Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
IRLZ14SPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 10A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ24NSTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 15нКл @ 5В
Входная емкость: 480пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRLZ34NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ34NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 715 шт
Цена от:
от 63,88₽
Акция
![]()
IRLZ44NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
729 шт
Цена от:
от 77,02₽
IRLZ44SPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IXTA06N120P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.: 600мА(Tc)
Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA
Заряд затвора: 13.3нКл @ 10В
Входная емкость: 270пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTA06N120P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.: 600мА(Tc)
Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA
Заряд затвора: 13.3нКл @ 10В
Входная емкость: 270пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120
Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IXTA3N120TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N150HV.
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 3А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IXTA50N25T
Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 4000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXTA50N25T
Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 4000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IXTA60N20T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 60А 500Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 60A
Мощность макс.: 500Вт
Тип транзистора: N-канал
IXTA60N20T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 60А 500Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 60A
Мощность макс.: 500Вт
Тип транзистора: N-канал
Новинка
![]()
JMGE540P10A
Транзистор полевой MOSFET силовой P-канальный 100В 35A 57мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 35А
Сопротивление открытого канала: 57мОм
Тип транзистора: P-канальный
JMGE540P10A
Транзистор полевой MOSFET силовой P-канальный 100В 35A 57мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 35А
Сопротивление открытого канала: 57мОм
Тип транзистора: P-канальный
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
17 489 шт
Цена от:
от 70,04₽
JMH65R190AE-13
Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: TO-263-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20А
Сопротивление открытого канала: 170мОм
Новинка
![]()
JMPL1025AE
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 49A 21мОм P-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 49А
Сопротивление открытого канала: 21мОм
Тип транзистора: P-канальный
JMPL1025AE
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 49A 21мОм P-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 49А
Сопротивление открытого канала: 21мОм
Тип транзистора: P-канальный
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 072 шт
Цена от:
от 85,63₽
Новинка
![]()
JMSH1507AEQ
Транзистор полевой MOSFET силовой 150В 161A 5.2мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 161А
Сопротивление открытого канала: 5.2мОм
Тип транзистора: N-канальный
JMSH1507AEQ
Транзистор полевой MOSFET силовой 150В 161A 5.2мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 161А
Сопротивление открытого канала: 5.2мОм
Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 009 шт
Цена от:
от 178,99₽
JMSH2010BE-13
Транзистор полевой MOSFET силовой 200В 129A 9.1мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 129А
Сопротивление открытого канала: 9.1мОм
Тип транзистора: N-канальный
MS8N100FE
Транзистор MOSFET N-канальный 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
Производитель: Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 8А
Мощность макс.: 31.7Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
MTB50P03HDLT4G
Транзистор полевой P-канальный 30В 50A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDB5060L
Транзистор полевой N-канальный 60В 26A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 68Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара