Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFS7440PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-263 (DВІPak)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 4730пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7534TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA
Заряд затвора: 279нКл @ 10В
Входная емкость: 10034пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7537TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 173A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA
Заряд затвора: 210нКл @ 10В
Входная емкость: 7020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7540TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 4555пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 407нКл
Входная емкость: 13660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 407нКл
Входная емкость: 13660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7734PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 76 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 76A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRFZ34NSPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 29A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ34NSTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ34NSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 29A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 34нКл @ 10В
Входная емкость: 700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44ESPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44ESTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44NS
Транзистор полевой MOSFET 60В 50A N-канальный
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
IRFZ44NSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 49A
Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1470пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44NSTRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 49 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.