Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (677)

Акция

IRFS4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

13 038 шт

Цена от:

от 204,55₽

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 88A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 97 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRFS4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 182 шт

Цена от:

от 233,08₽

Акция

IRFS4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 080 шт

Цена от:

от 106,36₽

IRFS52N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS5615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1750пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS59N10DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 25 mOhm Мощность макс.: 3.8W Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 5.5V Заряд затвора: 114nC Входная емкость: 2450pF Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7434TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA Заряд затвора: 324нКл @ 10В Входная емкость: 10820пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7437PBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 858 шт

Цена от:

от 52,55₽

IRFS7534TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA Заряд затвора: 279нКл @ 10В Входная емкость: 10034пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 7020пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7540TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4555пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"