Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (679)
IRF2807ZSTRLPBF
Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 3270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRF2907ZSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 7500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF2907ZSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 7500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
156 шт
Цена от:
от 424,58₽
IRF3007STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 62A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 3270пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRF3205SPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 146нКл
Входная емкость: 3247пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3205SPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 146нКл
Входная емкость: 3247пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3315STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Акция
![]()
IRF3415SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 42 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3415SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 42 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 232 шт
Цена от:
от 144,18₽
Акция
![]()
IRF3706SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 77 А, 88 Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF3706SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 77 А, 88 Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF3709STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 2672пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3709ZSPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRF3709ZSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 87A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA
Заряд затвора: 26нКл @ 4.5В
Входная емкость: 2130пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRF3710SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 3130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3710SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 3130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 540 шт
Цена от:
от 64,25₽
IRF3710STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 3130пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 540 шт
Цена от:
от 49,61₽
Акция
![]()
IRF3710ZSPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3710ZSPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
757 шт
Цена от:
от 108,98₽
IRF3711SPBF
Транзистор полевой N-канальный 20В 110A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 2980пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRF3808SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 106A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 220нКл
Входная емкость: 5310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3808SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 106A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 220нКл
Входная емкость: 5310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 742 шт
Цена от:
от 95,96₽
IRF3808STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 106А
Сопротивление открытого канала: 0.007Ом
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 742 шт
Цена от:
от 110,60₽
Акция
![]()
IRF4905SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF4905SPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 073 шт
Цена от:
от 85,63₽
Акция
![]()
IRF4905STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IRF4905STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 073 шт
Цена от:
от 85,63₽
IRF510SPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара