Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
G2R120MT33J
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 34А
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 3300В
Ток стока макс.: 34А
Тип транзистора: N-канальный
IPB014N06NATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 180A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPB160N04S4H1ATMA1
Полевой транзистор N-канальный 40В 160A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
IRF2804S-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 260нКл
Входная емкость: 6930пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF2804STRL7PP
Полевой транзистор N-канальный 40В 280A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
IRF2907ZS-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 260нКл
Входная емкость: 7580пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3805S-7PPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 160А 300Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 7820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3004-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 380Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3107-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 105A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 5320пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 86A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 4460пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7430-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 460нКл
Входная емкость: 13975пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7434TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1 мОм
Мощность макс.: 245Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 315нКл
Входная емкость: 10250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7437-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 231Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 231Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 225нКл
Входная емкость: 7437пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7530-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 354нКл
Входная емкость: 12960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3034-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 10990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3036TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм @ 180А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 160нКл @ 4.5В
Входная емкость: 11270пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS4030-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 11490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.