Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3EGATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A 2.1Вт, 52Вт макс. SMD PG-TSDSON-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40А
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
324 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,62
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10.4нКл
Входная емкость:
653пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
619 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,68
Акция
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
877пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 301 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,86
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 39,48
AOB2500L AOB2500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 11.5A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
11.5A(Ta),152A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
136нКл @ 10В
Входная емкость:
6460пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOB286L AOB286L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 13A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
13A(Ta),70A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
3142пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOB290L AOB290L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A(Ta),140A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.1В @ 250 µA
Заряд затвора:
126нКл @ 10В
Входная емкость:
9550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOB2910L AOB2910L MOSFET N CH 100V 6A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A(Ta),30A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
1190пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD442 AOD442 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD450 AOD450 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8А 12Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D-Pak (TO-252)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.82нКл
Входная емкость:
215пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD478 AOD478 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD498 AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOL1454 MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
UltraSO-8[тм]
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1920пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ060NE2LS BSZ060NE2LS Полевой транзистор N-канальный 25В 12A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC2610 FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC2674 FDMC2674 Транзистор полевой N-канальный 220В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
220В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
366 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC5614P FDMC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8878 FDMC8878 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT13N06LTF FQT13N06LTF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"