Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

Акция

IRLMS1902TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 2.2А, 4.5В Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ @ 250 µA Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В Входная емкость: 300пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 789 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 7,73₽

Акция

IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6 (SOT23 6L) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 459 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 6,68₽

IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

677 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 29,11₽

DMP4025LK3-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 6.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP6180SK3-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL6297SDTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A 8-Pin Direct-FET SA лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм @ 15А, 4.5В Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

IRLMS5703TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 739 шт

Цена от:

от 3,16₽

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 739 шт

Цена от:

от 3,16₽

SI2323DDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2365EDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443DDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"