Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 346,86
Акция
IPW90R340C3FKSA1 IPW90R340C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
44 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 444,48
IRFB7440PBF IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
596 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,58
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4730пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 853 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 44,94
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 208Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 738 шт

Внешние склады:
680 шт
Цена от:
от 134,88
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
786 шт

Внешние склады:
1 090 шт
Цена от:
от 156,42
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 508,98
Акция
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 269 шт

Внешние склады:
655 шт
Цена от:
от 303,30
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
141 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 150,12
Акция
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 208Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
157 шт
Цена от:
от 506,70
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 638,34
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3-1
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
37 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 598,86
AOD11S60 AOD11S60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
399 мОм @ 3.8А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.1В @ 250 µA
Заряд затвора:
11нКл @ 10В
Входная емкость:
545пФ @ 100В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCA20N60_F109 FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCP20N60 FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP090N10 FDP090N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
8225пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP100N10 FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Новинка
FGB20N60SFD_F085 FGB20N60SFD_F085 Транзистор биполярный IGBT N-канальный 600В 40А 208Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
40А
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFB7440GPBF IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4730пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFS7440PBF IRFS7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 853 шт
Цена от:
от 44,94
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"