Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
IRFI540NPBF IRFI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 54Вт, 0.052 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
227 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 146,28
Акция
IRFIZ48NPBF IRFIZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 40А 54Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
244 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,96
FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8360L FDMC8360L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
27A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм @ 27А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
80нКл @ 10В
Входная емкость:
5795пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20PBF IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
11 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLI540NPBF IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI7635DP-T1-GE3 SI7635DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
143нКл
Входная емкость:
4595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"