Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
Акция IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF730ASPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF830PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z30PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL630PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"