Одиночные MOSFET транзисторы

13
Мощность макс.: 74Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
Акция
IRF630PBF IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF634PBF IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF730APBF IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF730PBF IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF830APBF IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF830PBF IRF830PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9630PBF IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"