Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА TO-92 Производитель: DC COMPONENTS CO., LTD Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 5Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
4 006 шт

Под заказ:
6 207 шт
Цена от:
от 4,63
NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 170 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,36
Акция 2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,63
2N7000BU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,63
2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,63
DMN10H700S-7 Полевой транзистор N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2990UFA-7B Полевой транзистор N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 3-X2-DFN0806 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 510мА Сопротивление открытого канала: 990 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.5нКл Входная емкость: 27.6пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMP2004VK-7 Транзистор полевой 2P-канальный 20В 0.53A SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 430mА, 4.5В Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: 2P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR1P02LT3G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVR1P02T1G Полевой транзистор P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMXB120EPEZ Транзистор полевой P-канальный 30В 2.4A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 309пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMXB360ENEAZ Транзистор полевой N-канальный 80В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"