Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

2SJ162 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

160В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

P-канал

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

77 шт

Внешние склады:

9 шт

Цена от:

от 458,34₽

Акция

2SK1317-E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.5KВ 2.5А

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

1500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

12 Ом

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

5 408 шт

Внешние склады:

1 672 шт

Цена от:

от 204,78₽

IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 482 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 71,46₽

MDD1752 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 8.0 mOhm

Производитель:

Magna Chip

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

450В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

334 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 56,10₽

Акция

2SK2649 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 100Вт

Производитель:

Fujitsu Microelectronics

Корпус:

TO-3PF

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

5 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 82,74₽

2SK2608 Полевой транзистор N-канальный 900В 3А 100Вт [TO-220]

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFR4292 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 9.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

705пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

145 мОм @ 9А, 10В

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

26нКл @ 10В

Входная емкость:

1180пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 16.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4020TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

105 мОм @ 11А, 10В

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

29нКл @ 10В

Входная емкость:

1200пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTY1R6N50D2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 1.6A DPAK

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

1.6A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.3 Ом @ 800mА, 0В

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Depletion Mode

Заряд затвора:

23.7нКл @ 5В

Входная емкость:

645пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDB6060L Транзистор полевой N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDP6060 Транзистор полевой N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6060L Транзистор полевой N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF03LT4 MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм @ 35А, 10В

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

30нКл @ 5В

Входная емкость:

1440пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF3LLT4 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD25NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 100Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD25NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25А 0.033 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"