Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
Акция 2N7002CK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.35Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 55пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
8 456 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,06
Акция STR2N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3А Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 367пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 374 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,21
BSS138BK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 56пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
33 070 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 376 шт
Цена от:
от 3,87
BSS138P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
30 940 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
301 199 шт
Цена от:
от 2,28
BSS84AK,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.18A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 255 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,98
NX3008NBK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.4А 0.35Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 400мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 350mА, 4.5В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 250 µA Заряд затвора: 0.68нКл @ 4.5В Входная емкость: 50пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 885 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,03
2N7002E-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция 2N7002E-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 250mА, 10В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 0.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 21пФ @ 5В Тип монтажа: Surface Mount
Новинка 2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002P,235 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO7401 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.4A SC70-3 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A(Ta) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В @ 250 µA Заряд затвора: 5.06нКл @ 4.5В Входная емкость: 409пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO7408 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-6L Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SC-70-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 62 мОм @ 2А, 4.5В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 4нКл @ 4.5В Входная емкость: 320пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
AO7414 MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 62 мОм @ 2А, 4.5В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 320пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция BSS138L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
DMN2004K-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"