Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 627 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,21
IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
319 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 112,51
FDB16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB2572 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 29 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD10AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1874пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 44А 28 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 105В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole
FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 254 шт
Цена от:
от 8,27
Акция STL130N8F7 Транзистор полевой N-канальный 80В 130А 0.0046 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 6340пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"