Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

Акция

IRF200B211 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 12А 80Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 12А Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

583 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 23,35₽

Акция

IRLZ44ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 36нКл @ 5В Входная емкость: 1620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

541 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 78,37₽

STD4NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 950 шт

Под заказ:

6 799 шт

Цена от:

от 52,81₽

Акция

STP45NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

519 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,25₽

STP4NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

327 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 142,19₽

WMB080N10HG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A 80Вт Производитель: Wayon Корпус: PDFN5*6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74А Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

719 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,80₽

Акция

2SK2766 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 80Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

68 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 101,88₽

Акция

FQB27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25А 180Вт Производитель: Noname Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 25А Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

17 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 86,90₽

IRFB4019PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17А 80Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

276 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 97,38₽

IRFZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 80Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

334 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 74,08₽

IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

324 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 107,85₽

2SK4177-DL-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44Z Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 51А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 51 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 36нКл @ 5В Входная емкость: 1620пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK6217-55C,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 33.8нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ44ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"