Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
4220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 069 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 114,06
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
22 762 шт

Внешние склады:
1 620 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 70,32
IRFP4004PBF IRFP4004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
330нКл
Входная емкость:
8920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
105 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 375,42
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195А
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
104 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 241,68
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
140 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 290,40
Акция
SKG100N15-T SKG100N15-T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
SHIKUES
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104А
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 382 шт
Цена от:
от 85,14
AUIRFP4004 AUIRFP4004 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 350 А, 380 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
330нКл
Входная емкость:
8920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFS3004-7TRL AUIRFS3004-7TRL Полевой транзистор N-канальный 40В 400A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.25 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7P AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
230нКл @ 10В
Входная емкость:
9830пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7TRL AUIRFS4010-7TRL Транзистор полевой N-канальный 100В 190A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
9830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7P Транзистор полевой N-канальный 60В 300A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
11270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF1607PBF IRF1607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 142А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
142A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
320нКл
Входная емкость:
7750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3004PBF IRFB3004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.75 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFS3004-7PPBF IRFS3004-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.25 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFS3004PBF IRFS3004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.75 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
104 шт
Цена от:
от 241,68
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
230нКл @ 10В
Входная емкость:
9830пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4115TRL7PP IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
105A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
5320пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLS3034-7PPBF IRLS3034-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
10990пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
658 шт
Цена от:
от 188,04
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм @ 180А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
160нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLSL3036PBF IRLSL3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"