Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 089 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 115,02
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 863 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 72,42
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
489 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 186,18
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
11360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
246 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 340,38
Акция
AUIRFS3107-7P AUIRFS3107-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 230A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 529,02
AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7P Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
210нКл @ 10В
Входная емкость:
9620пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4233PBF IRFB4233PBF Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
230В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
5510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 22А 370Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 23А 277Вт, 0.23 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFS3107-7PPBF IRFS3107-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 шт
Цена от:
от 529,02
IRFS3107PBF IRFS3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLS4030-7PPBF IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
813 шт
Цена от:
от 332,40
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11360пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"