Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

CSD17306Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В Заряд затвора: 15.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17506Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17559Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.15 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17579Q3A Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 998пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101DC Транзистор полевой N-канальный 100В 14.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 3135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86200DC Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 42нКл @ 10В Входная емкость: 2955пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300DC Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7005пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500DC Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 29 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 7680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS5C604NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 289 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLWFTAG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1258пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5820NLTWG Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1462пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"