Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
IRFB3507PBF IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
97A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
264 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,28
IRFB4610PBF IRFB4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А 190Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
267 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,80
Акция
IRFS4610TRLPBF IRFS4610TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 168 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 187,32
STP18NM80 STP18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
204 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 416,76
STP80NF70 STP80NF70 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 98A TO-220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
68В
Ток стока макс.:
98A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.8 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
75нКл @ 10В
Входная емкость:
2550пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
644 шт

Внешние склады:
263 шт
Цена от:
от 69,06
STW12NK80Z STW12NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 250,56
STW20NK50Z STW20NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
119нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
109 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 221,82
TK20J60U TK20J60U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 190Вт (рекомендуемая замена: TK16J60W, TK16N60W)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
76 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 174,90
Акция
STW13N95K3 STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 245,64
AUIRFS4610 AUIRFS4610 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 10В
Входная емкость:
3550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFP048PBF IRFP048PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP250PBF IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP254PBF IRFP254PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
140 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 10В
Входная емкость:
2700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP350LCPBF IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP350PBF IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP450APBF IRFP450APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2038пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP450PBF IRFP450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP4710PBF IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
72A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFPC50LCPBF IRFPC50LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"