Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉

Мощность макс.: 3.6Вт

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

IRFH5007TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

17A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

98нКл @ 10В

Входная емкость:

4290пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 742 шт

Внешние склады:

1 600 шт

Цена от:

от 149,88₽

IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

369 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 68,64₽

Акция

IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 237 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 74,82₽

IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

7200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 194 шт

Внешние склады:

830 шт

Цена от:

от 48,60₽

IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

478 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 150,30₽

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

39A(Ta),180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 100 µA

Заряд затвора:

59нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5150пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5025TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A(Ta),63A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.4 мОм @ 37А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

72нКл @ 10В

Входная емкость:

3152пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5302TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

76нКл @ 10В

Входная емкость:

4400пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A(Ta),79A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 47А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 50 µA

Заряд затвора:

41нКл @ 10В

Входная емкость:

2360пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8307TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

42A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

7200пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

94нКл

Входная емкость:

5185пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLH6224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 28A PQFN 5X6

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

28A(Ta),105A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 20А, 4.5В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В @ 50 µA

Заряд затвора:

86нКл @ 10В

Входная емкость:

3710пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5826NLWFT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

24 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

17нКл @ 10В

Входная емкость:

850пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"