Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (48)
Акция
AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
0.75 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
13975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
271 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 838,08
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
HSOF8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
0.75 мОм @ 150А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В @ 280 µA
Заряд затвора:
216нКл @ 10В
Входная емкость:
16000пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
662 шт

Внешние склады:
109 шт
Цена от:
от 206,76
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
308 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 140,34
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 038 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,32
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
14240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 122,28
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 144,66
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 091 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 106,62
IRFP3006PBF IRFP3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 257A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
72 шт

Внешние склады:
109 шт
Цена от:
от 379,08
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
89 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 349,86
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
199 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 195,96
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 623 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 162,06
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
428нКл
Входная емкость:
13970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 147,18
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
162нКл
Входная емкость:
10315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
774 шт

Внешние склады:
260 шт
Цена от:
от 94,02
Акция
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
343А
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
318 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 330,66
AUIRF3004WL Полевой транзистор N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFB8409 AUIRFB8409 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
450нКл
Входная емкость:
14240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFS3006-7P AUIRFS3006-7P Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 293 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010 AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFSL4115 AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
99A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"