Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,88
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 160,62
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
696 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 109,14
Акция
IRFB7540PBF IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4555пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,78
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 456 шт

Внешние склады:
875 шт
Цена от:
от 56,28
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
560В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 312,78
Акция
STP10NK80Z STP10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
302 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,48
Акция
STP8NK100Z STP8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.85 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
102нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 390,06
Акция
STW15NK50Z STW15NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
2260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
119 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 143,46
STW9NK90Z STW9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
475 шт

Внешние склады:
460 шт
Цена от:
от 110,04
STP4N150 STP4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 шт
Цена от:
от 375,24
STP9NK90Z STP9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 275,88
STW4N150 STW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
489 шт
Цена от:
от 138,36
2SK2372 2SK2372 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 25А 160Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
25A
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
AUIRF3710Z AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3710ZS AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
2900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ48N AUIRFZ48N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
69A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDD8870 FDD8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
5160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP8870 FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
132нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQD16N25CTM FQD16N25CTM Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53.5нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"