Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
IRF540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
8 417 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 22,19
Акция AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
366 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 171,21
IRF540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 493 шт

Под заказ:
1 720 шт
Цена от:
от 37,52
IRFR3411TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
497 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,66
IRFZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 190Вт, 0.018 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 636 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 44,28
IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 064 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 83,21
STP10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 630пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
92 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 308,34
Акция 2SK3497 Транзистор полевой N-канальный 180В 10А 130Вт (комплементарная пара 2SJ618) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 180В Ток стока макс.: 10A Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3550 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 10А 130Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 10A Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал
AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP4N80 Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 213 шт
Цена от:
от 30,95
IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 213 шт
Цена от:
от 37,19
IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3411PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
497 шт
Цена от:
от 59,66
IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 5В Входная емкость: 2880пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRL3705ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"