Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

Новинка

STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

894 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 35,46₽

AON6884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 34A 8-Pin DFN EP лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.3 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPC3703CTR Транзистор полевой N-канальный 250ВAвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

360мА

Сопротивление открытого канала:

4 Ом

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Depletion Mode

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-CPH

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

43 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4V Drive

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6445-TL-W Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-CPH

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

117 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4V Drive

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3010LK3-13 Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.1A(Ta),43A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм @ 18А, 10В

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

37нКл @ 10В

Входная емкость:

2075пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

DMP3028LK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 27A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

27A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

25 мОм @ 7А, 10В

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 250 µA

Заряд затвора:

22нКл @ 10В

Входная емкость:

1241пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DN2540N8-G Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 170 мА

Производитель:

Microchip Technology Inc.

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

170мА

Сопротивление открытого канала:

25 Ом

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Depletion Mode

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

763пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 34 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

14.7A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5612 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

2739пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6530A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 21 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

35В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6685 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS10P02R2G Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

3640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"