Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 790 шт

Под заказ:

14 400 шт

Цена от:

от 99,68₽

IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 978 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,77₽

IRFL4315TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 317 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,77₽

AON2406 Полевой транзистор N-канальный 20В 8A 6-Pin DFN-B EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 6-DFN-EP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6816 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin DFN EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17577Q3AT Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 2310пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25402Q3A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.15В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В Входная емкость: 5950пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6641TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 48нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6643TRPBF Полевой транзистор N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 2210пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6646TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 12A(Ta),68A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2060пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 31нКл @ 10В Входная емкость: 1360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 3890пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6726MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 77нКл @ 4.5В Входная емкость: 6140пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6775MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1411пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 53нКл @ 4.5В Входная емкость: 4280пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8304MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A MX Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A(Ta),170A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 42нКл @ 4.5В Входная емкость: 4700пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"