Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

IRFP4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 78А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4460пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

820 шт

Под заказ:

1 500 шт

Цена от:

от 226,19₽

Акция

STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 011 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 36,54₽

Акция

IRFP1405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 95A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

144 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 155,03₽

IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

400 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 500,41₽

IRFP4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

800 шт

Под заказ:

5 000 шт

Цена от:

от 164,49₽

STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 218нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

414 шт

Под заказ:

710 шт

Цена от:

от 311,11₽

STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 218нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

67 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 201,17₽

FDB035AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 6400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 5870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3632 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDH047AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 107нКл @ 10В Входная емкость: 5870пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA24N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 23.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 23.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA55N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA65N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"