Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
83 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA427ADJ-T1-GE3 SIA427ADJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
75нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
25.2нКл
Входная емкость:
1508пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 29.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
29.7A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA445EDJ-T1-GE3 SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.38 Ом
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"