Одиночные MOSFET транзисторы

₁₈

Мощность макс.: 750мВт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1895)
Surface Mount (3492)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

CSD23203WT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 3A 6DSBGA

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

6-DSBGA

Напряжение исток-сток макс.:

8В

Ток стока макс.:

3A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В @ 250 µA

Заряд затвора:

6.3нКл @ 4.5В

Входная емкость:

914пФ @ 4В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2307BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5А 1.25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

12нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

12нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 207 шт

Цена от:

от 2,28₽

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

TSM2312CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

11.2нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

TSM3404CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT23

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

13.8нКл

Входная емкость:

400.96пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4424ASTZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.26A автомобильного применения 3-Pin E-Line Box

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

E-Line (TO-92 compatible)

Напряжение исток-сток макс.:

240В

Ток стока макс.:

260мА

Сопротивление открытого канала:

5.5 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.51775 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"