Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
917 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 90,44
2SK1461 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 5А 120Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2676 Транзистор полевой N-канальный 900В 10А 120Вт Производитель: Shindengen Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 10A Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал
Новинка FQAF11N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
IPT60R125G7XTMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 120Вт Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20А Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFP044NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 53A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 34,34
IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 31,56
IRLR3915TRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLU3915PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Through Hole
NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27.5A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD80N6F6 Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 7480пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"