Одиночные MOSFET транзисторы

7
Мощность макс.: 62.5Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (7)
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP65R660CFD IPP65R660CFD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PH2520U,115 PH2520U,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
5850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7852ADP-T1-E3 SI7852ADP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10.8 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"