Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
BUK965R8-100E,118 BUK965R8-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм @ 25А, 5В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
133нКл @ 5В
Входная емкость:
17460пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
279 шт

Внешние склады:
3 107 шт
Цена от:
от 131,28
AOB25S65L AOB25S65L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
25A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
190 мОм @ 12.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
26.4нКл @ 10В
Входная емкость:
1278пФ @ 100В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK763R8-80E,118 BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
169нКл @ 10В
Входная емкость:
12030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK961R6-40E,118 BUK961R6-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
120нКл @ 5В
Входная емкость:
16400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCH104N60F FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
139нКл @ 10В
Входная емкость:
5950пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60 FCP104N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
82нКл @ 10В
Входная емкость:
4165пФ @ 380В
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60F FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
145нКл @ 10В
Входная емкость:
6130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDB52N20TM FDB52N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"