Одиночные MOSFET транзисторы

11
Мощность макс.: 89Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (11)
AP18N20GH-HF AP18N20GH-HF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 89Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,94
Акция
AP9972GR AP9972GR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 89Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 32,58
Акция
IRLR3717PBF IRLR3717PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.45В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
2830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,40
FCD600N60Z FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50FTM FDD6N50FTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.15 Ом
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.8нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16.6нКл @ 10В
Входная емкость:
9400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-F085 FDD6N50TM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR3717TRPBF IRLR3717TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.45В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
2830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
103 шт
Цена от:
от 71,40
IRLR3717TRRPBF IRLR3717TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.45В @ 250 µA
Заряд затвора:
31нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2830пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27.5 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61194 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"