Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17381F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.35нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD23381F4 Полевой транзистор P-канальный 12В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 1.14нКл @ 4.5В Входная емкость: 236пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
CSD25483F4 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 500mА, 8В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 0.959нКл @ 4.5В Входная емкость: 198пФ @ 10В
CSD25483F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 0.96нКл Входная емкость: 198пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3441T1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.65A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3443T1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3446T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS3455T1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTGS4141NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV50UPE,215 Полевой транзистор P-канальный 20В 3.2A 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 15.7нКл Входная емкость: 24пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 132 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8802DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 8В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI8817DB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"