Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

DMG3415U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9.1нКл

Входная емкость:

294пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG7430LFG-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

PowerDI3333-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

26.7нКл

Входная емкость:

1281пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2100UDM-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 4A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

555пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3008SFGQ-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.6A

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

2230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

714пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDM3622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA507PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA510PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA520PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1645пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1070пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

71.3нКл

Входная емкость:

4970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

2.8нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR5198NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

5.1нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SSN1N45BTA Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 500 мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение исток-сток макс.:

450В

Ток стока макс.:

500мА

Сопротивление открытого канала:

4.25 Ом

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"