Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
BSH114,215 BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 980 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,90
Новинка
BSS123 BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 800 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
35 010 шт
Цена от:
от 1,08
Новинка
BSS84 BSS84 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.25Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.3нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 576 шт

Внешние склады:
283 113 шт
Аналоги:
530 094 шт
Цена от:
от 1,02
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS123 BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
42 810 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123L BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
21.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
42 810 шт
Цена от:
от 1,08
BSS138 BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
220мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.4нКл
Входная емкость:
27пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
541 498 шт
Цена от:
от 0,68
BSS84AKMB,315 BSS84AKMB,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP1555UFA-7B DMP1555UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
X2-DFN0806-3
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.84нКл
Входная емкость:
55.4пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.33A 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
X2-DFN0806-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
330мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
49пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DN3135K1-G DN3135K1-G Полевой транзистор N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
350В
Ток стока макс.:
72мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
35 Ом @ 150mА, 0В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS0605 NDS0605 Транзистор полевой P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
180мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NDS0610 NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3008PBKMB,315 NX3008PBKMB,315 Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB350UPEZ PMXB350UPEZ Транзистор полевой P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
447 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
116пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB290UNE,315 PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.68нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB350UPE,315 PMZB350UPE,315 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
127пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2404K-T1-GE3 TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
TP0610T-G TP0610T-G Транзистор полевой P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"