Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 000 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,43₽

2N7002BKM,315 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 965 шт

Цена от:

от 1,41₽

BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 965 шт

Цена от:

от 1,41₽

BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 21.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 965 шт

Цена от:

от 1,41₽

BSS123TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 965 шт

Цена от:

от 1,41₽

BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 27пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

332 139 шт

Цена от:

от 0,91₽

Акция

BSS84 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

470 980 шт

Цена от:

от 1,12₽

BSS84AKMB,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP1555UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.84нКл Входная емкость: 55.4пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP21D2UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.33A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 49пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DN3135K1-G Полевой транзистор N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 350В Ток стока макс.: 72мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 35 Ом @ 150mА, 0В Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS0605 Транзистор полевой P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 79пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 79пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3008PBKMB,315 Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB350UPEZ Транзистор полевой P-канальный 20В 1.2A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 447 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 116пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB350UPE,315 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 127пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"