Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,23
Акция STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 30В Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 283пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 10,93
FDD4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD4141_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1260пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MicroFET (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 1235пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
FDMC0310AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A 8QFN Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A(Ta),21A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 19А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 1mA Заряд затвора: 52нКл @ 10В Входная емкость: 3165пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7696 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1430пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8010 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3470пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTP2955G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 196 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
STL6N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"