Одиночные MOSFET транзисторы

17
Мощность макс.: 2.4Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
Акция
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 110,10
FDD4141 FDD4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4141_F085 FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA420NZ FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
935пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDMA430NZ FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA8051L FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
20нКл @ 10В
Входная емкость:
1260пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-MicroFET (2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
17нКл @ 10В
Входная емкость:
1235пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC0310AS FDMC0310AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A 8QFN
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A(Ta),21A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм @ 19А, 10В
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 1mA
Заряд затвора:
52нКл @ 10В
Входная емкость:
3165пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7696 FDMC7696 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8010 FDMC8010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFM120ATF IRFM120ATF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NTP2955G NTP2955G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
196 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL6N2VH5 STL6N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STL6N3LLH6 STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
283пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SUP85N15-21-E3 SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 274 шт
Цена от:
от 68,40
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"