Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
2SK4075 2SK4075 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60А 52Вт 6.7мОм
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
FCD900N60Z FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP3P20 FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7N65C FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1245пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 011 шт
Цена от:
от 25,56
NTD5865NLT4G NTD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 Полевой транзистор N-канальный 35В 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
9.1 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
16.7нКл
Входная емкость:
894пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
666пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 8.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
315 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
183нКл
Входная емкость:
5590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7625DN-T1-GE3 SI7625DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
126нКл
Входная емкость:
4427пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11.7 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"