Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
FQB11P06TM Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 11.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB19N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB1P50TM Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB4N80TM Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB5N90TM Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB6N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB7N60TM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 74 А, 1000 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1430пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 7.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQI4N80TU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"