Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 459 шт

Под заказ:
20 000 шт
Цена от:
от 101,32
AUIRF3805S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 248,01
AUIRFS3107-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 230A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
51 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 684,81
IRFP4468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 195А 520Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 540нКл Входная емкость: 19860пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 181 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 214,32
BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 160А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
768 шт
Цена от:
от 325,72
Акция IRFS3107-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
51 шт
Цена от:
от 684,81
IRFS7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 35.8A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35.8A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3630пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7145DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 413нКл Входная емкость: 15660пФ Тип монтажа: Surface Mount
STV240N75F3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 240 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerSO10 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"