Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

Акция

BSH108,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

860 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 10,86₽

IPW90R120C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO247

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

6800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

131 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 199,22₽

Акция

NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 145 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 6,06₽

FDD120AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.5нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDH44N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

750Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

108нКл

Входная емкость:

5335пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDH45N50F_F133 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 45 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

45A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

137нКл

Входная емкость:

6630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDT3612 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

632пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.37A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

329мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PHK04P02T,518 Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

16В

Ток стока макс.:

4.66A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

600mВ

Заряд затвора:

7.2нКл

Входная емкость:

528пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

309пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301-TP Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Micro Commercial Components

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

450mВ

Заряд затвора:

14.5нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STW26NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

313Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

106нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

ZXMN2A01FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

303пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"