Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

IRF4905PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

8 969 шт

Под заказ:

77 445 шт

Цена от:

от 47,92₽

Акция

IRF4905STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 532 шт

Под заказ:

540 шт

Цена от:

от 87,22₽

IRF7416TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

29 041 шт

Под заказ:

16 500 шт

Аналоги:

20 952 шт

Цена от:

от 33,84₽

Акция

AUIRF4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

141 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 316,22₽

IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

807 шт

Под заказ:

8 300 шт

Цена от:

от 126,77₽

AOD442 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFI4905 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

DMN2020LSN-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11.6нКл Входная емкость: 1149пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN4020LFDE-7 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19.1нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6612A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9.4нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6685 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC4435BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 8.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS4435BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS4435 Транзистор полевой P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ) Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1604пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5680 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF4905SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 072 шт

Цена от:

от 87,22₽

Акция

IRF7416PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт, 0.02 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

112 034 шт

Цена от:

от 15,05₽

Акция

IRFP044NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 53A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"